EU Binding Tariff Information
 HS Code : | 8541.21 | |
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 CN Code : | 8541.21.•• | |
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BTI Reference :
Issuing Country : GERMANY
Date Of Issue : 12.Oct.2026 - 11.Oct.2029
GaN power transistor in the form of a discrete HEMT with gate, source, and drain on a common substrate, having a power loss of less than 1 W.
Description auto translated : GaN power transistor (see illustration in attachment), - in the form of a single discrete HEMT (High Electron Mobility Transistor) with gate, source, and drain on a common substrate, - with a power loss of less than 1 W. 'Semiconductor component, transistor, other than phototransistor, with a power loss of less than 1 W'
Original Description: GaN-Leistungstransistor (Abbildung siehe Anlage),
- in Form eines einzelnen, diskreten HEMT (High Electron Mobility Transistor)
mit Gate, Source und Drain auf einem gemeinsamen Substrat,
- mit einer Verlustleistung von weniger als 1 W.
"Halbleiterbauelement, Transistor, anderer als Fototransistor, mit einer
Verlustleistung von weniger als 1 W"
Source : EU Binding Tariff Information
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